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中国科学院纳米器件与应用重点实验室边历峰研究员来校作学术讲座 作者: 电子信息学院 点击数: {浏览次数} 更新时间: 2017-06-12

2017611日,中国科学院纳米器件与应用重点实验室边历峰研究员为我校师生作题为纳米光电器件研究的专题讲座。

边研究员从半导体物理的基础出发,讲解了“纳米+光电器件+研究”的三段式讲述。他言简意赅地说明了纳米材料在光电器件中的应用,纳米材料在光电器件中的应用充分体现了当今器件发展的趋势是微型化,器件从宏观走向微观,电子器件走向自旋器件的发展趋势。在研究介绍中,边研究员还着重介绍了GaAs-InP基的多节太阳能电池研究进展,该聚光太阳能电池效率达到43%左右。边研究员还介绍了GaNLEDLD的研究进展,展示了GaN基的LEDLD在白光照明以及其他应用中具有诱人的前景。最后特别介绍了中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的大型真空互连系统:Nano-X,该系统将多个材料器件生长系统和原位测试系统连接在一个真空系统中,完成了真空的器件制备测试表征过程,这对器件的高质量制备具有十分重要的意义;该系统还能与法国南希大学让拉莫研究所的真空互连系统通过NanoBox传送样品,体现了高质量生长的发展趋势。

边历峰,中国科学院研究员,2006年4月加入苏州纳米技术与纳米仿生研究所,现任研究员,博士生导师。1994年9月考入合肥工业大学物理系,主修微电子技术专业,1998年7月毕业,获工学学士学位。1998年9月考入中国科学院合肥智能机械研究所,主要从事纳米材料和气敏器件的制备及其性能表征,2001年7月获工学硕士学位。2001年9月考入中国科学院半导体研究所凝聚态物理专业攻读博士学位,主要从事低维半导体材料和器件光学性质的研究,于2004年7月获得理学博士学位。2004年10月开始在德国Paul-Drude-Institute for Solid State Electronics做博士后,从事磁性半导体材料和器件的自旋特性研究。2013-2017年借调在国家自然科学基金委从事管理工作。现主要从事GaN基器件研究工作。主持多项国家自然科学基金和国家重点基金。